0 
آی سی BUK765R2
  ترانزیستور BUK765R2 MOSFET یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ رسانا - اکسید - فلز(Metal–Oxide–Semiconductor Field-effect Transistor) معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرمیدان (FET) چنانکه از نامش پیداست ، پایهٔ کنترلی ، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها ب ...ادامه مطلب

ترانزیستور BUK765R2




موجود نمی باشد
+
افزودن به علاقه مندی ها
  • توضیحات محصول
  • مشخصات فنی

 

ترانزیستور BUK765R2

MOSFET یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ رسانا - اکسید - فلز(Metal–Oxide–Semiconductor Field-effect Transistor) معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرمیدان (FET) چنانکه از نامش پیداست ، پایهٔ کنترلی ، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا ، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود . از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد . ترانزیستور BUK765R2  یک ماسفت منفی مورد استفاده در خودروهای بنز و BMW می باشد .

 

کاتالوگ محصول : دیتاشیت آی سی BUK765R2
 
N-channel TrenchMOS standard level FET

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

Features:
  • Q101 compliant
  • Suitable for standard level gate drive sources
  • Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
  • 12 V loads
  • Automotive systems
  • General purpose power switching
  • Motors, lamps and solenoids

 

 

 

 

مرسدس بنز, بی ام دبلیو, سایر
موتور
تقویت کننده
D2PAK
3
NXP
نوشتن دیدگاه