ترانزیستور NP32N055

ترانزیستور NP32N055

MOSFET یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ رسانا - اکسید - فلز(Metal–Oxide–Semiconductor Field-effect Transistor) معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرمیدان (FET) چنانکه از نامش پیداست ، پایهٔ کنترلی ، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا ، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود . از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد .  از این ترانزیستور در ایسیو وانت زامیاد استفاده شده است .

کاتالوگ محصول : دیتاشیت آی سی NP32N055

Switching N-Channel power MOS FET Industrial Use

These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Channel temperature 175 degree rated
• Super low on-state resistance

- RDS(on)1 = 24 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A)

- RDS(on)2 = 29 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 16 A)

• Low Ciss : Ciss = 1300 pF TYP.
• Built-in gate protection diode